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17.06.22 – Nanodrähte unter Zug bieten Basis für ultraschnelle Transistoren

Mit Tempo durch den Nanodraht

Kleinere Chips, schnellere Rechner, weniger Energieverbrauch. Neue Konzepte auf der Basis von Halbleiter-Nanodrähten sollen Transistoren in mikroelektronischen Schaltkreisen besser und effizienter machen.

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Ultraschnelle Transistoren basieren auf schnellen Elektronen. Die hohe Beweglichkeit der Teilchen im stark gespannten Kern von Halbleiter-Nanodrähten lässt sich per Terahertz-Laser nachweisen. © Helmholtz-Zentrum

 
Nanodraehte.jpg

Ultraschnelle Transistoren basieren auf schnellen Elektronen. Die hohe Beweglichkeit der Teilchen im stark gespannten Kern von Halbleiter-Nanodrähten lässt sich per Terahertz-Laser nachweisen. © Helmholtz-Zentrum

 
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Jörg Dambock
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